1. Apa perbedaan utama antara karakteristik kolektor transistor BJT dan transistor
menguras karakteristik transistor JFET? Bandingkan satuan dari setiap sumbu dan pengontrolnya
variabel. Bagaimana reaksi IC terhadap peningkatan level IB versus perubahan ID terhadap nilai VGS yang semakin negatif? Bagaimana jarak antar langkah IB dibandingkan dengan jarak antar langkah
langkah-langkah VGS? Bandingkan VCsat dengan VP dalam menentukan daerah nonlinier pada tingkat tegangan keluaran yang rendah
2. Secara umum, berikan pendapatmu tentang polaritas berbagai tegangan dan arah arus untuk an
JFET n-channel versus JFET p-channel.
